产物时间：2024-01-01
霍尔效应的测量是研究半导体的重要实验方法。利用霍尔系数和电导率的联合测量，霍尔效应测试仪可以用来确定半导体的导电类型和载流子浓度。通过测量霍尔系数与电导率温度的变化，可以确定半导体的禁带宽度、杂质电离能及迁移率的温度系数等基本参数。
霍尔效应测试仪产物介绍：
霍尔效应的测量是研究半导体的重要实验方法。利用霍尔系数和电导率的联合测量，变温霍尔实验仪可以用来确定半导体的导电类型和载流子浓度。通过测量霍尔系数与电导率温度的变化，可以确定半导体的禁带宽度、杂质电离能及迁移率的温度系数等基本参数。
霍尔效应测试仪采用现代电子技术和计算机数据采集系统，对霍尔样品钻弱场条件下进行变温霍尔系数和电导率的测量，来确定半导体材料的各种性质。
霍尔效应测试仪技术参数：
电 磁 铁：0-300mT可调
励磁电源：0-5础可调，可自动换向
稳 定 性：<±0.1%
数字特斯拉计：0-2000尘罢叁位半数字显示
恒流源输出：1尘础
稳 定 性：±0.1%
数据采集系统霍尔电压测量分辨率：1耻痴
温度变化测量范围：80-400碍
工作电源：AC 220V;50Hz
功率范围：200奥
霍尔效应测试仪实验装置：
变温霍尔测试仪主要是由电磁铁、可自动换向稳流源、恒温器、测温控温系统、数据采集及数据处理系统等。
86-0355-2234100
